碳化硅（SiC）材料具有禁带宽度大(约Si的3倍)、热导率高(约Si的3.3倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高(约Si的2.5倍)和击穿电场高(约Si的10倍或GaAs的5倍)等优点，是制备大功率、微波等高温高频器件的理想材料。SiC外延片是第三代半导体产业的关键材料。

目前高质量的SiC厚膜外延技术被Cree（美国）、英飞凌（德国）、昭和电工（日本）等国际著名公司垄断。大力发展SiC厚膜外延技术可弥补我们与国外的技术差距，避免在材料上形成新的“卡脖子”问题，为我国第三代半导体产业的快速发展提供有力支撑和保障。

松山湖材料实验室陈小龙研究员带领的SiC及相关材料团队克服诸多困难，历经近两年的努力，成功建设了一条SiC外延工艺研发产线。2020年7月29日，在实验室科研项目管理部组织下，验收专家组对团队的外延设备及外延片质量进行了技术验收。该外延设备的生长速度可达30-60微米/小时。对100微米外延片，其背景载流子浓度低于1´10¹⁴cm^-3，表面粗糙度低于0.25 nm，膜厚均匀性偏差优于1%，载流子浓度均匀性偏差优于7%，表面缺陷密度最低可达0.05/cm²。验收专家组给予了高度评价，认为SiC及相关材料团队所生产的SiC外延片已经满足各项验收指标，该团队已经具备对外提供合格SiC外延片的能力。

SiC外延设备顺利验收和研发产线的成功建成，标志着松山湖材料实验室SiC及相关材料团队正式登上了SiC外延的舞台，成为该领域一颗冉冉升起的新星。团队将专注于大尺寸高质量SiC外延技术的研发，秉承“技术创新，全心服务”的精神，与行业上下游企业密切合作，共同推动我国第三代半导体产业的蓬勃发展。

撰稿：SiC及相关材料团队

撰稿：未知