SiC同质外延厚膜材料技术研究

Group Leader:陈小龙

Position

◆ 松山湖材料实验室SiC同质外延厚膜材料技术研究团队负责人
◆ 中国科学院物理研究所研究员、博士生导师,研究组组长

Research Direction

新功能材料探索、新物性和宽禁带半导体晶体生长的研究和产业化工作

Main Achievemnets

带领团队在国内首次实现了多孔介质燃烧技术的商业应用。

Honor

◆ 率领团队成功研发出2 - 6英寸碳化硅晶体,并实现了产业化
◆ 1999年国家杰出青年科学基金获得者
◆ 发表学术论文300余篇
◆ 授权发明专利41项,授权国际专利3项,制定国家标准3项

研究背景

SiC中低压功率器件所需的外延膜已在国内实现量产,但其质量还需要进一步提高,以满足高性能SiC双极型功率器件的制备需求;而高压领域所需厚膜外延片目前还处于实验室阶段,因此面向国家的高效节能重大需求,开展“SiC同质外延厚膜材料技术研究”课题是势在必行的。SiC功率器件的成功量产和应用将有力地促进我国经济发展与能源结构转型。

△ SiC器件不同电压对于SiC外延层厚度和掺杂浓度的要求

 

研究方向

(一)SiC厚膜的快速外延生长技术

掌握SiC厚膜的快速外延生长技术,解决外延量产均匀性和工艺稳定性等关键问题。
(二)研究SiC外延生长中缺陷的产生/消除及扩张转换的机理

研究SiC外延生长中缺陷的产生/消除及扩张转换的机理,降低外延膜中缺陷密度和深能级密度,提高其少子寿命,满足SiC双极性器件的制造工艺要求。

(三)高质量SiC外延膜中降低应力及晶片翘曲的方法

掌握降低高质量SiC外延膜晶片应力及翘曲的方法,满足高压/超高压SiC功率器件制造的要求。

外延产线

研究目标

实现膜厚30µm以上的高质量SiC外延片产业化,满足第三代半导体产业的需求。

 

 

联系方式

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